Les travaux présentés portent sur l'impact du bruit de fond électrique sur les technologies des composants actifs, les circuits et les systèmes des hautes fréquences. Durant nos 12 dernières années de recherche, nous nous sommes intéressés à des filières émergentes à fort potentiel d'intégration (BiCMOS SiGe) ou à forte puissance (GaN). Nous avons développé des modèles électriques et en bruit des composants actifs pour identifier les pistes d'améliorations technologiques, localiser les défauts structurels ou étudier le comportement de ces mêmes défauts après l'application de contraintes simulant un vieillissement accéléré. Sur la base de la connaissance des composants actifs, nous avons développé des circuits intégrés MMIC faible bruit à 10 GHz et 20 GHz (amplificateurs et oscillateurs) dont certains se positionnent à l'état de l'art. La troisième partie, orientée système, aborde l'étude du bruit d'un récepteur, le cas d'un étage de réception affecté par la chaîne d'émission, en proposant
différentes parades permettant de limiter les dégradations de son plancher de bruit. Enfin, le cas d'un système de liaison hertzienne embarqué sur automobile est abordé. Diverses stratégies sont ainsi proposées pour pallier les évènements conduisant à une rupture de la liaison.